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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI7956DP-T1-E3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI7956DP-T1-E3TR-ND - Bande et bobine SI7956DP-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SI7956DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI7956DP-T1-E3 |
Description | MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 150V 2,6A 1,4W Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI7956DP-T1-E3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 105mohms à 4,1A, 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 26nC à 10V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Puissance - Max. 1,4W |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Type de montage Montage en surface |
Configuration 2 canaux N (double) | Boîtier powerPAK® SO-8 double |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double |
Tension drain-source (Vdss) 150V | Numéro de produit de base |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,6A |
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Substituts (1)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SH8KA7GZETB | Rohm Semiconductor | 22 | SH8KA7GZETBCT-ND | 4,50000 $ | Similaire |
En stock: 1 813
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 6,85000 $ | 6,85 $ |
| 10 | 4,51100 $ | 45,11 $ |
| 100 | 3,17840 $ | 317,84 $ |
| 500 | 2,69304 $ | 1 346,52 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 2,20020 $ | 6 600,60 $ |
