Name: SI7949DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7949DP-T1-E3TR-ND
Price: 3.9 CAD
Availability: InStock

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SI7949DP-T1-E3
Numéro de produit DigiKey	SI7949DP-T1-E3TR-ND - Bande et bobine SI7949DP-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SI7949DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI7949DP-T1-E3
Description	MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	11 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 3,2A 1,5W Montage en surface powerPAK® SO-8 double
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI7949DP-T1-E3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 64mohms à 5A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 40nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 1,5W
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Configuration 2 canaux P (double)	Boîtier powerPAK® SO-8 double
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double
Tension drain-source (Vdss) 60V	Numéro de produit de base SI7949
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,2A

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Documents et supports

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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Conditionnement standard du fabricant

SI7949DP-T1-E3