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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI7272DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI7272DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI7272DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI7272DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI7272DP-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 25A 22W Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI7272DP-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 9,3mohms à 15A, 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 26nC à 10V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1100pF à 15V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 22W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier powerPAK® SO-8 double |
Tension drain-source (Vdss) 30V | Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 25A | Numéro de produit de base |
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Documents et supports
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Ressources supplémentaires
En stock: 57 000
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,36000 $ | 3,36 $ |
| 10 | 2,14100 $ | 21,41 $ |
| 100 | 1,44710 $ | 144,71 $ |
| 500 | 1,15010 $ | 575,05 $ |
| 1 000 | 1,05458 $ | 1 054,58 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,96024 $ | 2 880,72 $ |
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