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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI7252DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI7252DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI7252DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI7252DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI7252DP-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 17 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 100V 36,7A 46W Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI7252DP-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 18mohms à 15A, 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 27nC à 10V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1170pF à 50V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 46W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier powerPAK® SO-8 double |
Tension drain-source (Vdss) 100V | Boîtier fournisseur powerPAK® SO-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 36,7A | Numéro de produit de base |
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Documents et supports
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Ressources supplémentaires
En stock: 17 354
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,77000 $ | 4,77 $ |
| 10 | 3,09600 $ | 30,96 $ |
| 100 | 2,13520 $ | 213,52 $ |
| 500 | 1,72448 $ | 862,24 $ |
| 1 000 | 1,64942 $ | 1 649,42 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,42505 $ | 4 275,15 $ |
| 6 000 | 1,34757 $ | 8 085,42 $ |
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