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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI7232DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI7232DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI7232DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI7232DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI7232DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 20V 25A 23W Montage en surface powerPAK® 1212-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI7232DN-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 16,4mohms à 10A, 4,5V |
Fabricant Vishay Siliconix | Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 32nC à 8V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1220pF à 10V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 23W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier powerPAK® 1212-8 double |
Tension drain-source (Vdss) 20V | Boîtier fournisseur powerPAK® 1212-8 double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 25A | Numéro de produit de base |
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Ressources supplémentaires
En stock: 1 458
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,14000 $ | 2,14 $ |
| 10 | 1,34100 $ | 13,41 $ |
| 100 | 0,88600 $ | 88,60 $ |
| 500 | 0,69036 $ | 345,18 $ |
| 1 000 | 0,62733 $ | 627,33 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,54730 $ | 1 641,90 $ |
| 6 000 | 0,50701 $ | 3 042,06 $ |
| 9 000 | 0,48649 $ | 4 378,41 $ |
| 15 000 | 0,46344 $ | 6 951,60 $ |
| 21 000 | 0,44979 $ | 9 445,59 $ |
| 30 000 | 0,44277 $ | 13 283,10 $ |
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