SI6926ADQ-T1-E3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Diodes Incorporated
En stock: 2 335
Prix unitaire : 0,85000 $
Fiche technique
MOSFET - Matrices 20V 4,1A 830mW Montage en surface 8-TSSOP
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SI6926ADQ-T1-E3

Numéro de produit DigiKey
SI6926ADQ-T1-E3TR-ND - Bande et bobine
SI6926ADQ-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT)
SI6926ADQ-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SI6926ADQ-T1-E3
Description
MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 20V 4,1A 830mW Montage en surface 8-TSSOP
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Rds On (max.) à Id, Vgs
30mohms à 4,5A, 4,5V
Fabricant
Vishay Siliconix
Vgs(th) (max.) à Id
1V à 250µA
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
10,5nC à 4,5V
Statut du composant
Obsolète
Puissance - Max.
830mW
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration
2 canaux N (double)
Type de montage
Montage en surface
Fonction FET
Porte de niveau logique
Boîtier
8-TSSOP (0,173po, 4,40mm de largeur)
Tension drain-source (Vdss)
20V
Boîtier fournisseur
8-TSSOP
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
4,1A
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (1)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
DMG8822UTS-13Diodes Incorporated2 33531-DMG8822UTS-13CT-ND0,85000 $Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.