
SI6562CDQ-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI6562CDQ-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI6562CDQ-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI6562CDQ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI6562CDQ-T1-GE3 |
Description | MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 20V 6,7 A, 6,1 A 1,6W, 1,7W Montage en surface 8-TSSOP |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI6562CDQ-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 22mohms à 5,7A, 4,5V |
Fabricant Vishay Siliconix | Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 23nC à 10V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 850pF à 10V |
Statut du composant Date de dernière disponibilité | Puissance - Max. 1,6W, 1,7W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration Canaux N et P | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier 8-TSSOP (0,173po, 4,40mm de largeur) |
Tension drain-source (Vdss) 20V | Boîtier fournisseur 8-TSSOP |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6,7 A, 6,1 A | Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,56000 $ | 2,56 $ |
| 10 | 1,61400 $ | 16,14 $ |
| 100 | 1,07570 $ | 107,57 $ |
| 500 | 0,84464 $ | 422,32 $ |
| 1 000 | 0,77030 $ | 770,30 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,67588 $ | 2 027,64 $ |
| 6 000 | 0,62837 $ | 3 770,22 $ |
| 9 000 | 0,60417 $ | 5 437,53 $ |
| 15 000 | 0,57698 $ | 8 654,70 $ |
| 21 000 | 0,56790 $ | 11 925,90 $ |



