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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI5922DU-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SI5922DU-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SI5922DU-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SI5922DU-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI5922DU-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 6 A (Tc) 10,4W Montage en surface PowerPAK® ChipFet double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI5922DU-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA |
Fabricant Vishay Siliconix | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 7,1nC à 4,5V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 765pF à 15V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Puissance - Max. 10,4W |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Type de montage Montage en surface |
Configuration 2 canaux N (double) | Boîtier PowerPAK® ChipFet double |
Tension drain-source (Vdss) 30V | Boîtier fournisseur PowerPAK® ChipFet double |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Tc) | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 19,2mohms à 5A, 10V |
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Ressources supplémentaires
En stock: 6 077
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,48000 $ | 1,48 $ |
| 10 | 0,92400 $ | 9,24 $ |
| 100 | 0,60050 $ | 60,05 $ |
| 500 | 0,46082 $ | 230,41 $ |
| 1 000 | 0,41581 $ | 415,81 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,35859 $ | 1 075,77 $ |
| 6 000 | 0,32977 $ | 1 978,62 $ |
| 9 000 | 0,31509 $ | 2 835,81 $ |
| 15 000 | 0,29859 $ | 4 478,85 $ |
| 21 000 | 0,28882 $ | 6 065,22 $ |
| 30 000 | 0,27933 $ | 8 379,90 $ |
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