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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI5513CDC-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI5513CDC-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI5513CDC-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI5513CDC-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI5513CDC-T1-GE3 |
Description | MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 20V 4 A, 3,7 A 3,1W Montage en surface 1206-8 ChipFET™ |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 55mohms à 4,4A, 4,5V |
Fabricant Vishay Siliconix | Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 4,2nC à 5V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 285pF à 10V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 3,1W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration Canaux N et P | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier 8-SMD, broches plates |
Tension drain-source (Vdss) 20V | Boîtier fournisseur 1206-8 ChipFET™ |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4 A, 3,7 A | Numéro de produit de base |
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Documents et supports
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Ressources supplémentaires
En stock: 1 545
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,46000 $ | 1,46 $ |
| 10 | 0,90600 $ | 9,06 $ |
| 100 | 0,58780 $ | 58,78 $ |
| 500 | 0,45078 $ | 225,39 $ |
| 1 000 | 0,40660 $ | 406,60 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,35042 $ | 1 051,26 $ |
| 6 000 | 0,32213 $ | 1 932,78 $ |
| 9 000 | 0,30772 $ | 2 769,48 $ |
| 15 000 | 0,29152 $ | 4 372,80 $ |
| 21 000 | 0,28193 $ | 5 920,53 $ |
| 30 000 | 0,27261 $ | 8 178,30 $ |
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