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SI4936BDY-T1-GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI4936BDY-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI4936BDY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4936BDY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4936BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4936BDY-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 6,9A 2,8W Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 35mohms à 5,9A, 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15nC à 10V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 530pF à 15V |
Statut du composant Obsolète | Puissance - Max. 2,8W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) |
Tension drain-source (Vdss) 30V | Boîtier fournisseur 8-SOIC |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6,9A | Numéro de produit de base |
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Substituts (3)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SH8K12TB1 | Rohm Semiconductor | 0 | SH8K12TB1-ND | 0,67831 $ | Similaire |
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| ZXMN3A06DN8TA | Diodes Incorporated | 1 263 | ZXMN3A06DN8CT-ND | 3,47000 $ | Similaire |
Obsolète
