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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI4925DDY-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI4925DDY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4925DDY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4925DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4925DDY-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 28 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 8A 5W Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI4925DDY-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA |
Fabricant Vishay Siliconix | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 50nC à 10V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1350pF à 15V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Puissance - Max. 5W |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Type de montage Montage en surface |
Configuration 2 canaux P (double) | Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) |
Tension drain-source (Vdss) 30V | Boîtier fournisseur 8-SOIC |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8A | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 29mohms à 7,3A, 10V |
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Classifications environnementales et d'exportation
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Ressources supplémentaires
En stock: 67 303
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,49000 $ | 2,49 $ |
| 10 | 1,57400 $ | 15,74 $ |
| 100 | 1,04710 $ | 104,71 $ |
| 500 | 0,82130 $ | 410,65 $ |
| 1 000 | 0,74862 $ | 748,62 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,66995 $ | 1 674,88 $ |
| 5 000 | 0,62134 $ | 3 106,70 $ |
| 7 500 | 0,59658 $ | 4 474,35 $ |
| 12 500 | 0,56877 $ | 7 109,62 $ |
| 17 500 | 0,55230 $ | 9 665,25 $ |
| 25 000 | 0,54865 $ | 13 716,25 $ |
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