
SI4909DY-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI4909DY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4909DY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4909DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4909DY-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 40V 8A 3,2W Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI4909DY-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 27mohms à 8A, 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 63nC à 10V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2000pF à 20V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 3,2W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux P (double) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) |
Tension drain-source (Vdss) 40V | Boîtier fournisseur 8-SOIC |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8A | Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,59000 $ | 2,59 $ |
| 10 | 1,63400 $ | 16,34 $ |
| 100 | 1,08990 $ | 108,99 $ |
| 500 | 0,85628 $ | 428,14 $ |
| 1 000 | 0,78110 $ | 781,10 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,69971 $ | 1 749,28 $ |
| 5 000 | 0,64942 $ | 3 247,10 $ |
| 7 500 | 0,62380 $ | 4 678,50 $ |
| 12 500 | 0,59503 $ | 7 437,87 $ |
| 17 500 | 0,57799 $ | 10 114,83 $ |
| 25 000 | 0,57753 $ | 14 438,25 $ |








