SI4900DY-T1-GE3 Vishay Siliconix | Produits semi-conducteurs discrets

SI4900DY-T1-GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SI4900DY-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI4900DY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4900DY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4900DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI4900DY-T1-GE3
Description	MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 5,3A 3,1W Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	5,3A
Rds On (max.) à Id, Vgs	58mohms à 4,3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	20nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	665pF à 15V
Puissance - Max.	3,1W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SOIC
Numéro de produit de base	SI4900