SI9407BDY-T1-GE3
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SI4900DY-T1-E3

Numéro de produit DigiKey
SI4900DY-T1-E3TR-ND - Bande et bobine
SI4900DY-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT)
SI4900DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SI4900DY-T1-E3
Description
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 60V 5,3A 3,1W Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SI4900DY-T1-E3 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
TrenchFET®
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Obsolète
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
5,3A
Rds On (max.) à Id, Vgs
58mohms à 4,3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
20nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
665pF à 15V
Puissance - Max.
3,1W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
SI4900
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
12,67000 $2,67 $
101,69500 $16,95 $
1001,13750 $113,75 $