MOSFET - Matrices 30V 5,8 A, 8,2 A 1W, 1,25W Montage en surface 8-SOIC
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SI4816BDY-T1-E3

Numéro de produit DigiKey
SI4816BDY-T1-E3TR-ND - Bande et bobine
SI4816BDY-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT)
SI4816BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SI4816BDY-T1-E3
Description
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
38 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 5,8 A, 8,2 A 1W, 1,25W Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SI4816BDY-T1-E3 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Rds On (max.) à Id, Vgs
18,5mohms à 6,8A, 10V
Fabricant
Vishay Siliconix
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Série
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
10nC à 5V
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Puissance - Max.
1W, 1,25W
Statut du composant
Actif
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Type de montage
Montage en surface
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Fonction FET
Porte de niveau logique
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Tension drain-source (Vdss)
30V
Numéro de produit de base
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
5,8 A, 8,2 A
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 11
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Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
13,90000 $3,90 $
102,50600 $25,06 $
1001,70860 $170,86 $
5001,36732 $683,66 $
1 0001,25758 $1 257,58 $
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 5001,13885 $2 847,12 $
5 0001,06552 $5 327,60 $
7 5001,02818 $7 711,35 $
12 5001,02030 $12 753,75 $
Conditionnement standard du fabricant