
SI4816BDY-T1-E3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI4816BDY-T1-E3TR-ND - Bande et bobine SI4816BDY-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4816BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4816BDY-T1-E3 |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 5,8 A, 8,2 A 1W, 1,25W Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI4816BDY-T1-E3 Modèles |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 18,5mohms à 6,8A, 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10nC à 5V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Puissance - Max. 1W, 1,25W |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Type de montage Montage en surface |
Configuration 2 canaux N (demi-pont) | Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier fournisseur 8-SOIC |
Tension drain-source (Vdss) 30V | Numéro de produit de base |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,8 A, 8,2 A |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,90000 $ | 3,90 $ |
| 10 | 2,50600 $ | 25,06 $ |
| 100 | 1,70860 $ | 170,86 $ |
| 500 | 1,36732 $ | 683,66 $ |
| 1 000 | 1,25758 $ | 1 257,58 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 1,13885 $ | 2 847,12 $ |
| 5 000 | 1,06552 $ | 5 327,60 $ |
| 7 500 | 1,02818 $ | 7 711,35 $ |
| 12 500 | 1,02030 $ | 12 753,75 $ |



