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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI4202DY-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI4202DY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4202DY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4202DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI4202DY-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 12,1A 3,7W Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI4202DY-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 14mohms à 8A, 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 17nC à 10V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 710pF à 15V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 3,7W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm) |
Tension drain-source (Vdss) 30V | Boîtier fournisseur 8-SOIC |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12,1A | Numéro de produit de base |
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Documents et supports
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Ressources supplémentaires
En stock: 14 490
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,19000 $ | 3,19 $ |
| 10 | 2,02700 $ | 20,27 $ |
| 100 | 1,36670 $ | 136,67 $ |
| 500 | 1,08360 $ | 541,80 $ |
| 1 000 | 0,99258 $ | 992,58 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,89407 $ | 2 235,18 $ |
| 5 000 | 0,83321 $ | 4 166,05 $ |
| 7 500 | 0,80221 $ | 6 016,57 $ |
| 12 500 | 0,77004 $ | 9 625,50 $ |
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