


SI3585CDV-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI3585CDV-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI3585CDV-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI3585CDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI3585CDV-T1-GE3 |
Description | MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 20V 3,9 A, 2,1 A 1,4W, 1,3W Montage en surface 6-TSOP |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI3585CDV-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 58mohms à 2,5A, 4,5V |
Fabricant Vishay Siliconix | Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 4,8nC à 10V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 150pF à 10V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 1,4W, 1,3W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration Canaux N et P | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6 |
Tension drain-source (Vdss) 20V | Boîtier fournisseur 6-TSOP |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,9 A, 2,1 A | Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,34000 $ | 1,34 $ |
| 10 | 0,83200 $ | 8,32 $ |
| 100 | 0,53730 $ | 53,73 $ |
| 500 | 0,41068 $ | 205,34 $ |
| 1 000 | 0,36982 $ | 369,82 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,31787 $ | 953,61 $ |
| 6 000 | 0,29171 $ | 1 750,26 $ |
| 9 000 | 0,27838 $ | 2 505,42 $ |
| 15 000 | 0,26340 $ | 3 951,00 $ |
| 21 000 | 0,25453 $ | 5 345,13 $ |
| 30 000 | 0,24591 $ | 7 377,30 $ |



