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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI1926DL-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI1926DL-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI1926DL-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI1926DL-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI1926DL-T1-GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6 |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 60V 370mA 510mW Montage en surface SC-70-6 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI1926DL-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 1,4ohms à 340mA, 10V |
Fabricant Vishay Siliconix | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 1,4nC à 10V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 18,5pF à 30V |
Statut du composant Obsolète | Puissance - Max. 510mW |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Tension drain-source (Vdss) 60V | Boîtier fournisseur SC-70-6 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 370mA | Numéro de produit de base |
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Documents et supports
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Obsolète
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