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MOSFET - Matrices 60V 370mA 510mW Montage en surface SC-70-6
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SI1926DL-T1-E3

Numéro de produit DigiKey
SI1926DL-T1-E3TR-ND - Bande et bobine
SI1926DL-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT)
SI1926DL-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SI1926DL-T1-E3
Description
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 60V 370mA 510mW Montage en surface SC-70-6
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,4ohms à 340mA, 10V
Fabricant
Vishay Siliconix
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Série
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
1,4nC à 10V
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
18,5pF à 30V
Statut du composant
Obsolète
Puissance - Max.
510mW
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration
2 canaux N (double)
Type de montage
Montage en surface
Fonction FET
Porte de niveau logique
Boîtier
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tension drain-source (Vdss)
60V
Boîtier fournisseur
SC-70-6
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
370mA
Numéro de produit de base
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Documents et supports
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
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