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Direct

IRF830APBF
Vishay Siliconix
En stock: 1 844
Prix unitaire : 4,32000 $
Fiche technique

Équivalent paramétrique

IRF830APBF-BE3
Vishay Siliconix
En stock: 944
Prix unitaire : 4,32000 $
Fiche technique

Similaire

AOT5N50
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
En stock: 424
Prix unitaire : 2,27000 $
Fiche technique

Similaire

FDP5N50NZ
onsemi
En stock: 0
Prix unitaire : 0,87660 $
Fiche technique

Similaire

IPP015N04NGXKSA1
Infineon Technologies
En stock: 699
Prix unitaire : 8,38000 $
Fiche technique

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IPP100N08S2L07AKSA1
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 3,74706 $
Fiche technique

Similaire

IPP50R140CPHKSA1
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 $
Fiche technique

Similaire

IPP50R199CPXKSA1
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 4,95162 $
Fiche technique

Similaire

IPP60R125CPXKSA1
Infineon Technologies
En stock: 2 468
Prix unitaire : 8,59000 $
Fiche technique

Similaire

IPP60R165CPXKSA1
Infineon Technologies
En stock: 260
Prix unitaire : 6,78000 $
Fiche technique

Similaire

IPP60R199CPXKSA1
Infineon Technologies
En stock: 368
Prix unitaire : 6,05000 $
Fiche technique

Similaire

IPP60R250CPXKSA1
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 $
Fiche technique

Similaire

IPP60R299CPXKSA1
Infineon Technologies
En stock: 1 000
Prix unitaire : 4,64000 $
Fiche technique

Similaire

IPP60R385CPXKSA1
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 1,45810 $
Fiche technique
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SIHP23N60E-GE3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IRF830A

Numéro de produit DigiKey
IRF830A-ND
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
IRF830A
Description
MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Référence client
Description détaillée
Canal N 500 V 5 A (Tc) 74W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IRF830A Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,4ohms à 3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
620 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
74W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220AB
Boîtier
TO-220-3
Numéro de produit de base
IRF830
Questions et réponses sur les produits

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