Name: VS-GT200TS065N
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-GT200TS065N-ND
Price: 130.48 CAD
Availability: OutOfStock

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VS-GT200TS065N
Numéro de produit DigiKey	112-VS-GT200TS065N-ND
Fabricant	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numéro de produit du fabricant	VS-GT200TS065N
Description	IGBT MOD 650V 193A INTA-PAK IGBT
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	IGBT Module Trench Onduleur en demi-pont 650 V 193 A 517 W Montage sur châssis INT-A-PAK IGBT
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors IGBT Modules IGBT
Fabricant	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Série	FRED Pt®
Conditionnement	Boîte
Statut du composant	Actif
Type d'IGBT	Trench
Configuration	Onduleur en demi-pont
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	650 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	193 A
Puissance - Max.	517 W
Vce(on) (max.) à Vge, Ic	2,3V à 15V, 200A
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	100 µA
Entrée	Standard
Thermistance CTN	Non
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier	Module
Boîtier fournisseur	INT-A-PAK IGBT