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SS10P3CHM3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Équivalent paramétrique

SS10P3C-M3/86A
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 4 206
Prix unitaire : 1,64000 $
Fiche technique

Équivalent paramétrique

SS10P3C-M3/87A
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 0
Prix unitaire : 0,46394 $
Fiche technique

Équivalent paramétrique

SS10P3CHM3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 0
Prix unitaire : 0,48442 $
Fiche technique

Équivalent paramétrique

SS10P3CLHM3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 0
Prix unitaire : 0,57217 $
Fiche technique

Équivalent paramétrique

SS10P3CLHM3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 0
Prix unitaire : 0,48442 $
Fiche technique
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TO-277A
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TO-277A
TO-277A
eSMP® Package Evolution

SS10P3CHM3/86A

Numéro de produit DigiKey
SS10P3CHM3/86A-ND - Bande et bobine
Fabricant
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numéro de produit du fabricant
SS10P3CHM3/86A
Description
DIODE ARRAY SCHOTT 30V 5A TO277A
Référence client
Description détaillée
Réseau de diodes 1 paire de cathodes communes 30 V 5A Montage en surface TO-277, 3-PowerDFN
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Série
eSMP®
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Configuration de diode
1 paire de cathodes communes
Technologies
Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
30 V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
5A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
530 mV @ 5 A
Vitesse
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
Courant - Fuite inverse à Vr
550 µA @ 30 V
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 150°C
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
TO-277, 3-PowerDFN
Boîtier fournisseur
TO-277A (SMPC)
Numéro de produit de base
SS10P3
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