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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SMZJ3788BHM3_B/I | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 112-SMZJ3788BHM3_B/ITR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SMZJ3788BHM3_B/I |
Description | DIODE ZENER 9.1V 1.5W DO214AA |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diodes - Zener 9.1 V 1.5 W ±5% Montage en surface DO-214AA (SMB) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Courant - Fuite inverse à Vr 50 µA @ 7 V |
Fabricant | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Conditionnement Bande et bobine | Grade Automobile |
Statut du composant Actif | Qualification AEC-Q101 |
Tension - Zener (nom.) (Vz) | Type de montage Montage en surface |
Tolérance ±5% | Boîtier |
Puissance - Max. 1.5 W | Boîtier fournisseur DO-214AA (SMB) |
Impédance (max.) (Zzt) 4 Ohms | Numéro de produit de base |
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Substituts (10)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SMZJ3788BHE3_B/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-SMZJ3788BHE3_B/H-ND | 0,30435 $ | Équivalent paramétrique |
| SMZJ3788BHE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-SMZJ3788BHE3_B/ITR-ND | 0,30435 $ | Équivalent paramétrique |
| SMZJ3788BHM3/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMZJ3788BHM3/H-ND | 0,00000 $ | Équivalent paramétrique |
| SMZJ3788BHM3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SMZJ3788BHM3/I-ND | 0,00000 $ | Équivalent paramétrique |
| SMZJ3788BHM3_B/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-SMZJ3788BHM3_B/H-ND | 0,31904 $ | Équivalent paramétrique |
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Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 6 400 | 0,31904 $ | 2 041,86 $ |
