Name: SM8S33AHE3_A/I
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: SM8S33AHE3_A/IGITR-ND
Price: 7.41 CAD
Availability: InStock

53,3V Pince 124A Ipp TVS - Diodes Montage en surface DO-218AB

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SM8S33AHE3_A/I
Numéro de produit DigiKey	SM8S33AHE3_A/IGITR-ND - Bande et bobine SM8S33AHE3_A/IGICT-ND - Bande coupée (CT) SM8S33AHE3_A/IGIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Numéro de produit du fabricant	SM8S33AHE3_A/I
Description	TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	7 semaines
Référence client
Description détaillée	53,3V Pince 124A Ipp TVS - Diodes Montage en surface DO-218AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SM8S33AHE3_A/I Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Protection des circuits Suppresseurs de tension transitoire (TVS) Diodes TVS	Courant - Impulsion de crête (10/1000µs) 124A
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Puissance - Impulsion de crête 6600W (6,6kW)
Série PAR®	Protection de ligne électrique Non
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Statut du composant Actif	Grade Automobile
Type Zener	Qualification AEC-Q101
Canaux unidirectionnels 1	Type de montage Montage en surface
Tension - Sécurité inverse (typ.) 33V	Boîtier DO-218AB
Tension - Claquage (min.) 36,7V	Boîtier fournisseur DO-218AB
Tension - Blocage (max.) @ Ipp 53,3V	Numéro de produit de base SM8S33