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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SA2B-M3/61T | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SA2B-M3/61T-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SA2B-M3/61T |
Description | DIODE STANDARD 100V 2A DO214AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 100 V 2A Montage en surface DO-214AC (SMA) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Temps de recouvrement inverse (trr) 1.5 µs |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 3 µA @ 100 V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité à Vr, F 11pF à 4V, 1MHz |
Statut du composant Actif | Type de montage |
Technologies | Boîtier |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 100 V | Boîtier fournisseur DO-214AC (SMA) |
Courant - Moyen redressé (Io) 2A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.1 V @ 2 A | Numéro de produit de base |
Vitesse Récupération standard >500ns, > 200mA (Io) |
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Ressources supplémentaires
Substituts (3)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SA2B-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 90 | SA2B-E3/5ATGICT-ND | 0,82000 $ | Équivalent paramétrique |
| SA2B-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 324 | SA2B-E3/61TGICT-ND | 0,82000 $ | Équivalent paramétrique |
| SA2B-M3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SA2B-M3/5AT-ND | 0,13513 $ | Équivalent paramétrique |
Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 18 000 | 0,15017 $ | 2 703,06 $ |
