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Substituts disponibles:
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 1 483
Prix unitaire : 0,76000 $
Fiche technique
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 1 130
Prix unitaire : 0,97000 $
Fiche technique
Équivalent paramétrique
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
S3B-M3/9AT | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | S3B-M3/9AT-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | S3B-M3/9AT |
Description | DIODE STANDARD 100V 3A DO214AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 100 V 3A Montage en surface DO-214AB (SMC) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Temps de recouvrement inverse (trr) 2.5 µs |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 10 µA @ 100 V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité à Vr, F 60pF à 4V, 1MHz |
Statut du composant Actif | Type de montage |
Technologies | Boîtier |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 100 V | Boîtier fournisseur DO-214AB (SMC) |
Courant - Moyen redressé (Io) 3A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.15 V @ 2.5 A | Numéro de produit de base |
Vitesse Récupération standard >500ns, > 200mA (Io) |
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Substituts (5)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| S3B-E3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 1 483 | S3B-E3/57TGICT-ND | 0,76000 $ | Équivalent paramétrique |
| S3B-E3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S3B-E3/9AT-ND | 0,16079 $ | Équivalent paramétrique |
| S3B-M3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S3B-M3/57T-ND | 0,19989 $ | Équivalent paramétrique |
| S3BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 1 130 | S3BHE3_A/HGICT-ND | 0,97000 $ | Équivalent paramétrique |
| S3BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S3BHE3_A/I-ND | 0,21371 $ | Équivalent paramétrique |
Disponible sur commande
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Quantité
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Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10 500 | 0,25653 $ | 2 693,56 $ |
