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Substituts disponibles:
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 24 192
Prix unitaire : 0,48000 $
Fiche technique
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 52 986
Prix unitaire : 0,48000 $
Fiche technique
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 5 149
Prix unitaire : 0,64000 $
Fiche technique
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
S1BHE3_A/I | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | S1BHE3_A/I-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | S1BHE3_A/I |
Description | DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 100 V 1A Montage en surface DO-214AC (SMA) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Courant - Fuite inverse à Vr 1 µA @ 100 V |
Fabricant | Capacité à Vr, F 12pF à 4V, 1MHz |
Conditionnement Bande et bobine | Grade Automobile |
Statut du composant Actif | Qualification AEC-Q101 |
Technologies | Type de montage |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 100 V | Boîtier |
Courant - Moyen redressé (Io) 1A | Boîtier fournisseur DO-214AC (SMA) |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.1 V @ 1 A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C |
Vitesse Récupération standard >500ns, > 200mA (Io) | Numéro de produit de base |
Temps de recouvrement inverse (trr) 1.8 µs |
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Substituts (16)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| S1B-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 24 192 | S1B-E3/5ATGICT-ND | 0,48000 $ | Équivalent paramétrique |
| S1B-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 52 986 | S1B-E3/61TGICT-ND | 0,48000 $ | Équivalent paramétrique |
| S1B-M3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S1B-M3/5AT-ND | 0,10301 $ | Équivalent paramétrique |
| S1B-M3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | S1B-M3/61T-ND | 0,10086 $ | Équivalent paramétrique |
| S1BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 5 149 | S1BHE3_A/HGICT-ND | 0,64000 $ | Équivalent paramétrique |
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Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 15 000 | 0,10296 $ | 1 544,40 $ |
