Équivalent paramétrique
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RS3DHE3_A/I | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | RS3DHE3_A/I-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | RS3DHE3_A/I |
Description | DIODE STANDARD 200V 3A DO214AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 200 V 3A Montage en surface DO-214AB (SMC) |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Courant - Fuite inverse à Vr 10 µA @ 200 V |
Fabricant | Capacité à Vr, F 44pF à 4V, 1MHz |
Conditionnement Bande et bobine | Grade Automobile |
Statut du composant Actif | Qualification AEC-Q101 |
Technologies | Type de montage |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 200 V | Boîtier |
Courant - Moyen redressé (Io) 3A | Boîtier fournisseur DO-214AB (SMC) |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.3 V @ 2.5 A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | Numéro de produit de base |
Temps de recouvrement inverse (trr) 150 ns |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| RS3D-E3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 2 940 | RS3D-E3/57TGICT-ND | 1,52000 $ | Équivalent paramétrique |
| RS3D-E3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3D-E3/9AT-ND | 0,33777 $ | Équivalent paramétrique |
| RS3D-M3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3D-M3/57T-ND | 0,37710 $ | Équivalent paramétrique |
| RS3D-M3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3D-M3/9AT-ND | 0,33668 $ | Équivalent paramétrique |
| RS3DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3DHE3_A/H-ND | 0,45170 $ | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 500 | 0,41357 $ | 1 447,49 $ |
| 7 000 | 0,38290 $ | 2 680,30 $ |
| 10 500 | 0,36728 $ | 3 856,44 $ |
| 17 500 | 0,35575 $ | 6 225,62 $ |





