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Substituts disponibles:
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 3 613
Prix unitaire : 1,52000 $
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RS3B-M3/57T | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | RS3B-M3/57T-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | RS3B-M3/57T |
Description | DIODE STANDARD 100V 3A DO214AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 100 V 3A Montage en surface DO-214AB (SMC) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Temps de recouvrement inverse (trr) 150 ns |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 10 µA @ 100 V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité à Vr, F 34pF à 4V, 1MHz |
Statut du composant Actif | Type de montage |
Technologies | Boîtier |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 100 V | Boîtier fournisseur DO-214AB (SMC) |
Courant - Moyen redressé (Io) 3A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.3 V @ 2.5 A | Numéro de produit de base |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
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Substituts (10)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| RS3B-E3/57T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 3 613 | RS3B-E3/57TGICT-ND | 1,52000 $ | Équivalent paramétrique |
| RS3B-E3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3B-E3/9AT-ND | 0,34440 $ | Équivalent paramétrique |
| RS3B-M3/9AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3B-M3/9AT-ND | 0,33668 $ | Équivalent paramétrique |
| RS3BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3BHE3_A/H-ND | 0,45170 $ | Équivalent paramétrique |
| RS3BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | RS3BHE3_A/I-ND | 0,43829 $ | Équivalent paramétrique |
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Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5 100 | 0,34877 $ | 1 778,73 $ |
