Équivalent paramétrique
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RGL41MHE3_B/H | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 112-RGL41MHE3_B/HTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | RGL41MHE3_B/H |
Description | DIODE STANDARD 1000V 1A DO213AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 16 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 1000 V 1A Montage en surface DO-213AB |
Catégorie | Temps de recouvrement inverse (trr) 500 ns |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 5 µA @ 1000 V |
Série | Capacité à Vr, F 15pF à 4V, 1MHz |
Conditionnement Bande et bobine | Grade Automobile |
Statut du composant Actif | Qualification AEC-Q101 |
Technologies | Type de montage |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 1000 V | Boîtier |
Courant - Moyen redressé (Io) 1A | Boîtier fournisseur DO-213AB |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.3 V @ 1 A | Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 175°C |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| BYM11-1000-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 1 567 | BYM11-1000-E3/96GICT-ND | 1,10000 $ | Équivalent paramétrique |
| BYM11-1000-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 3 815 | BYM11-1000-E3/97GICT-ND | 2,08000 $ | Équivalent paramétrique |
| BYM11-1000HE3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYM11-1000HE3/96-ND | 0,00000 $ | Équivalent paramétrique |
| BYM11-1000HE3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYM11-1000HE3/97-ND | 0,00000 $ | Équivalent paramétrique |
| BYM11-1000HE3_B/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BYM11-1000HE3_B/HTR-ND | 0,43431 $ | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 12 000 | 0,43431 $ | 5 211,72 $ |


