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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
GDZ3V9B-HE3_A18 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 112-GDZ3V9B-HE3_A18TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | GDZ3V9B-HE3_A18 |
Description | DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD323 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 93 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diodes - Zener 3.9 V 200 mW ±3,46% Montage en surface SOD-323 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Impédance (max.) (Zzt) 100 Ohms |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 5 µA @ 1 V |
Série | Température de fonctionnement 150°C (TJ) |
Conditionnement Bande et bobine | Grade Automobile |
Statut du composant Actif | Qualification AEC-Q101 |
Tension - Zener (nom.) (Vz) | Type de montage Montage en surface |
Tolérance ±3,46% | Boîtier |
Puissance - Max. 200 mW | Boîtier fournisseur SOD-323 |
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Substituts (6)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| GDZ3V9B-HE3_A08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-GDZ3V9B-HE3_A08TR-ND | 0,09323 $ | Équivalent paramétrique |
| GDZ3V9B-HG3_A08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-GDZ3V9B-HG3_A08TR-ND | 0,09323 $ | Équivalent paramétrique |
| GDZ3V9B-HG3_A18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-GDZ3V9B-HG3_A18TR-ND | 0,09828 $ | Équivalent paramétrique |
| BZX384-A3V9X | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-BZX384-A3V9XTR-ND | 0,00000 $ | Équivalent paramétrique |
| BZX38450-B3V9-QX | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-BZX38450-B3V9-QXTR-ND | 0,00000 $ | Équivalent paramétrique |
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Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10 000 | 0,09828 $ | 982,80 $ |
| 20 000 | 0,09122 $ | 1 824,40 $ |
