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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FESB8DT-M3/I | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 112-FESB8DT-M3/ITR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FESB8DT-M3/I |
Description | DIODE STANDARD 200V 8A TO263AB |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 9 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 200 V 8A Montage en surface TO-263AB (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Temps de recouvrement inverse (trr) 35 ns |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 10 µA @ 200 V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité à Vr, F 85pF à 4V, 1MHz |
Statut du composant Actif | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 200 V | Type de montage |
Courant - Moyen redressé (Io) 8A | Boîtier |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 950 mV @ 8 A | Boîtier fournisseur TO-263AB (D2PAK) |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C |
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Ressources supplémentaires
Substituts (3)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FESB8DTHM3/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-FESB8DTHM3/ITR-ND | 2,10021 $ | Équivalent paramétrique |
| SFAS804G | Taiwan Semiconductor Corporation | 1 597 | 1801-SFAS804GCT-ND | 2,25000 $ | Équivalent paramétrique |
| SFAS804GH | Taiwan Semiconductor Corporation | 1 850 | 1801-SFAS804GHCT-ND | 2,25000 $ | Équivalent paramétrique |
Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 800 | 1,55034 $ | 1 240,27 $ |
| 1 600 | 1,44086 $ | 2 305,38 $ |
| 2 400 | 1,38888 $ | 3 333,31 $ |
