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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
ESH2BHE3_A/H | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | ESH2BHE3_A/H-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | ESH2BHE3_A/H |
Description | DIODE STANDARD 100V 2A DO214AA |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 100 V 2A Montage en surface DO-214AA (SMB) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Courant - Fuite inverse à Vr 10 µA @ 50 V |
Fabricant | Capacité à Vr, F 30pF à 4V, 1MHz |
Conditionnement Bande et bobine | Grade Automobile |
Statut du composant Actif | Qualification AEC-Q101 |
Technologies | Type de montage |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 100 V | Boîtier |
Courant - Moyen redressé (Io) 2A | Boîtier fournisseur DO-214AA (SMB) |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 930 mV @ 2 A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | Numéro de produit de base |
Temps de recouvrement inverse (trr) 25 ns |
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Substituts (4)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| ESH2BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ESH2BHE3_A/I-ND | 0,28119 $ | Équivalent paramétrique |
| HS2B R5G | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | HS2BR5G-ND | 0,00000 $ | Similaire |
| PU2BB | Taiwan Semiconductor Corporation | 6 000 | 1801-PU2BBCT-ND | 0,84000 $ | Équivalent paramétrique |
| PU2BBH | Taiwan Semiconductor Corporation | 360 | 1801-PU2BBHCT-ND | 0,62000 $ | Équivalent paramétrique |
Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5 250 | 0,30146 $ | 1 582,66 $ |
