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Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 37 168
Prix unitaire : 0,72000 $
Fiche technique
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 21 971
Prix unitaire : 0,72000 $
Fiche technique
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 7 196
Prix unitaire : 0,94000 $
Fiche technique
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 7 420
Prix unitaire : 0,94000 $
Fiche technique
Équivalent paramétrique
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
ES1B-M3/5AT | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | ES1B-M3/5AT-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | ES1B-M3/5AT |
Description | DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 100 V 1A Montage en surface DO-214AC (SMA) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Temps de recouvrement inverse (trr) 25 ns |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 5 µA @ 100 V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité à Vr, F 10pF à 4V, 1MHz |
Statut du composant Actif | Type de montage |
Technologies | Boîtier |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 100 V | Boîtier fournisseur DO-214AC (SMA) |
Courant - Moyen redressé (Io) 1A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 920 mV @ 1 A | Numéro de produit de base |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
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Substituts (10)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| ES1B-E3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 37 168 | ES1B-E3/5ATGICT-ND | 0,72000 $ | Équivalent paramétrique |
| ES1B-E3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 21 971 | ES1B-E3/61TGICT-ND | 0,72000 $ | Équivalent paramétrique |
| ES1B-M3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | ES1B-M3/61T-ND | 0,18043 $ | Équivalent paramétrique |
| ES1BHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 7 196 | ES1BHE3_A/HGICT-ND | 0,94000 $ | Équivalent paramétrique |
| ES1BHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 7 420 | 112-ES1BHE3_A/ICT-ND | 0,94000 $ | Équivalent paramétrique |
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Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 22 500 | 0,18043 $ | 4 059,68 $ |
