Équivalent paramétrique
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Équivalent paramétrique

BZX384C18-HE3_A08 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 112-BZX384C18-HE3_A08TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | BZX384C18-HE3_A08 |
Description | DIODE ZENER 18V 200MW SOD323 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 93 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diodes - Zener 18 V 200 mW ±5% Montage en surface SOD-323 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Impédance (max.) (Zzt) 10 Ohms |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 50 nA @ 12.6 V |
Série | Température de fonctionnement 150°C (TJ) |
Conditionnement Bande et bobine | Grade Automobile |
Statut du composant Actif | Qualification AEC-Q101 |
Tension - Zener (nom.) (Vz) | Type de montage Montage en surface |
Tolérance ±5% | Boîtier |
Puissance - Max. 200 mW | Boîtier fournisseur SOD-323 |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| BZX384B18-HE3_A08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BZX384B18-HE3_A08TR-ND | 0,09323 $ | Équivalent paramétrique |
| BZX384B18-HE3_A18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BZX384B18-HE3_A18TR-ND | 0,09828 $ | Équivalent paramétrique |
| BZX384C18-HE3_A18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BZX384C18-HE3_A18TR-ND | 0,09591 $ | Équivalent paramétrique |
| BZX384C18-HG3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 153 | 112-BZX384C18-HG3-08CT-ND | 0,36000 $ | Équivalent paramétrique |
| BZX384C18-HG3_A08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BZX384C18-HG3_A08TR-ND | 0,09096 $ | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 15 000 | 0,09096 $ | 1 364,40 $ |
| 30 000 | 0,08855 $ | 2 656,50 $ |


