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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
BZT52C30-HE3_A-08 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 112-BZT52C30-HE3_A-08TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | BZT52C30-HE3_A-08 |
Description | DIODE ZENER 30V 300MW SOD123 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 36 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diodes - Zener 30 V 300 mW ±5% Montage en surface SOD-123 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Impédance (max.) (Zzt) 80 Ohms |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 100 nA @ 22.5 V |
Série | Température de fonctionnement 150°C (TJ) |
Conditionnement Bande et bobine | Grade Automobile |
Statut du composant Actif | Qualification AEC-Q101 |
Tension - Zener (nom.) (Vz) | Type de montage Montage en surface |
Tolérance ±5% | Boîtier |
Puissance - Max. 300 mW | Boîtier fournisseur SOD-123 |
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Substituts (6)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| BZT52B30-HE3_A-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BZT52B30-HE3_A-08TR-ND | 0,09512 $ | Équivalent paramétrique |
| BZT52B30-HE3_A-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BZT52B30-HE3_A-18TR-ND | 0,10024 $ | Équivalent paramétrique |
| BZT52C30-HE3_A-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BZT52C30-HE3_A-18TR-ND | 0,09749 $ | Équivalent paramétrique |
| ABZT52B30-HF | Comchip Technology | 0 | 641-ABZT52B30-HFTR-ND | 0,10169 $ | Équivalent paramétrique |
| BZT52B30 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | 2 880 | 5399-BZT52B30CT-ND | 0,19000 $ | Équivalent paramétrique |
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Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 15 000 | 0,09248 $ | 1 387,20 $ |
| 30 000 | 0,09033 $ | 2 709,90 $ |
