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Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 75 425
Prix unitaire : 1,63000 $
Fiche technique
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 7 941
Prix unitaire : 1,63000 $
Fiche technique
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 10 383
Prix unitaire : 1,69000 $
Fiche technique
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 3 390
Prix unitaire : 1,70000 $
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Équivalent paramétrique
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 7 317
Prix unitaire : 1,70000 $
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
BYG22D-M3/TR3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | BYG22D-M3/TR3-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | BYG22D-M3/TR3 |
Description | DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 10 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 200 V 2A Montage en surface DO-214AC (SMA) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
Fabricant | Temps de recouvrement inverse (trr) 25 ns |
Conditionnement Bande et bobine | Courant - Fuite inverse à Vr 1 µA @ 200 V |
Statut du composant Actif | Type de montage |
Technologies | Boîtier |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 200 V | Boîtier fournisseur DO-214AC (SMA) |
Courant - Moyen redressé (Io) 2A | Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.1 V @ 2 A | Numéro de produit de base |
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Substituts (11)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| BYG22D-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 75 425 | BYG22D-E3/GICT-ND | 1,63000 $ | Équivalent paramétrique |
| BYG22D-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 7 941 | BYG22D-E3/TR3GICT-ND | 1,63000 $ | Équivalent paramétrique |
| BYG22D-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 10 383 | 112-BYG22D-M3/TRCT-ND | 1,69000 $ | Équivalent paramétrique |
| BYG22DHE3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYG22DHE3/GITR-ND | 0,00000 $ | Équivalent paramétrique |
| BYG22DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 3 390 | BYG22DHE3_A/HGICT-ND | 1,70000 $ | Équivalent paramétrique |
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Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 15 000 | 0,40002 $ | 6 000,30 $ |
