Name: TJ90S04M3L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ90S04M3L,LQTR-ND
Price: 4.38 CAD
Availability: InStock

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TJ90S04M3L,LQ
Numéro de produit DigiKey	264-TJ90S04M3L,LQTR-ND - Bande et bobine 264-TJ90S04M3L,LQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TJ90S04M3L,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TJ90S04M3L,LQ
Description	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 90 A (Ta) 180W (Tc) Montage en surface DPAK+
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVI
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	90 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,3mohms à 45A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	172 nC @ 10 V
Vgs (max.)	+10V, -20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	7700 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	180W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DPAK+
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63