Name: TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)TR-ND
Price: 2.68 CAD
Availability: InStock

Canal P 60 V 8 A (Ta) 27W (Tc) Montage en surface DPAK+

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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Numéro de produit DigiKey	264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)TR-ND - Bande et bobine 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)CT-ND - Bande coupée (CT) 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Description	MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 8 A (Ta) 27W (Tc) Montage en surface DPAK+
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVI
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	104mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (max.)	+10V, -20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	890 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	27W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DPAK+
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	TJ8S06