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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SSM6N62TU,LF | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SSM6N62TULFTR-ND - Bande et bobine SSM6N62TULFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6N62TULFDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SSM6N62TU,LF |
Description | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 16 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 20V 800mA (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface UF6 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SSM6N62TU,LF Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 1V à 1mA |
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 2nC à 4,5V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 177pF à 10V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 500mW (Ta) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement 150°C |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique, attaque 1,2V | Boîtier 6-SMD, sorties plates |
Tension drain-source (Vdss) 20V | Boîtier fournisseur UF6 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 800mA (Ta) | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 85mohms à 800mA, 4,5V |
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En stock: 7 036
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,03000 $ | 1,03 $ |
| 10 | 0,63700 $ | 6,37 $ |
| 100 | 0,40870 $ | 40,87 $ |
| 500 | 0,30992 $ | 154,96 $ |
| 1 000 | 0,27806 $ | 278,06 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,23753 $ | 712,59 $ |
| 6 000 | 0,21711 $ | 1 302,66 $ |
| 9 000 | 0,20670 $ | 1 860,30 $ |
| 15 000 | 0,19500 $ | 2 925,00 $ |
| 21 000 | 0,18807 $ | 3 949,47 $ |
| 30 000 | 0,18134 $ | 5 440,20 $ |
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