
SSM6N58NU,LF | |
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Numéro de produit DigiKey | SSM6N58NULFTR-ND - Bande et bobine SSM6N58NULFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6N58NULFDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SSM6N58NU,LF |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 12 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 4A 1W Montage en surface 6-UDFN (2x2) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SSM6N58NU,LF Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 1V à 1mA |
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 1,8nC à 4,5V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 129pF à 15V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 1W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique, attaque 1,8V | Boîtier 6-WDFN plot exposé |
Tension drain-source (Vdss) 30V | Boîtier fournisseur 6-UDFN (2x2) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4A | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 84mohms à 2A, 4,5V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 0,97000 $ | 0,97 $ |
| 10 | 0,59600 $ | 5,96 $ |
| 100 | 0,38040 $ | 38,04 $ |
| 500 | 0,28708 $ | 143,54 $ |
| 1 000 | 0,25693 $ | 256,93 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,21861 $ | 655,83 $ |
| 6 000 | 0,19930 $ | 1 195,80 $ |
| 9 000 | 0,18945 $ | 1 705,05 $ |
| 15 000 | 0,17839 $ | 2 675,85 $ |
| 21 000 | 0,17184 $ | 3 608,64 $ |
| 30 000 | 0,16547 $ | 4 964,10 $ |










