
SSM6N56FE,LM | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SSM6N56FELMTR-ND - Bande et bobine SSM6N56FELMCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6N56FELMDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SSM6N56FE,LM |
Description | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 12 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 20V 800mA 150mW Montage en surface ES6 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SSM6N56FE,LM Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 1V à 1mA |
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 1nC à 4,5V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 55pF à 10V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 150mW |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique, attaque 1,5V | Boîtier SOT-563, SOT-666 |
Tension drain-source (Vdss) 20V | Boîtier fournisseur ES6 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 800mA | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 235mohms à 800mA, 4,5V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 0,59000 $ | 0,59 $ |
| 10 | 0,36400 $ | 3,64 $ |
| 100 | 0,22910 $ | 22,91 $ |
| 500 | 0,17042 $ | 85,21 $ |
| 1 000 | 0,15142 $ | 151,42 $ |
| 2 000 | 0,13539 $ | 270,78 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 4 000 | 0,12189 $ | 487,56 $ |
| 8 000 | 0,11052 $ | 884,16 $ |
| 12 000 | 0,10472 $ | 1 256,64 $ |
| 20 000 | 0,09821 $ | 1 964,20 $ |
| 28 000 | 0,09435 $ | 2 641,80 $ |
| 40 000 | 0,09060 $ | 3 624,00 $ |








