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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SSM6N55NU,LF | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 264-SSM6N55NU,LFTR-ND - Bande et bobine 264-SSM6N55NU,LFCT-ND - Bande coupée (CT) 264-SSM6N55NU,LFDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SSM6N55NU,LF |
Description | MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 12 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 30V 4A 1W Montage en surface 6-µDFN (2x2) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SSM6N55NU,LF Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 100µA |
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 2,5nC à 4,5V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 280pF à 15V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 1W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier 6-WDFN plot exposé |
Tension drain-source (Vdss) 30V | Boîtier fournisseur 6-µDFN (2x2) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4A | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 46mohms à 4A, 10V |
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Ressources supplémentaires
En stock: 5 020
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 0,97000 $ | 0,97 $ |
| 10 | 0,59600 $ | 5,96 $ |
| 100 | 0,38040 $ | 38,04 $ |
| 500 | 0,28708 $ | 143,54 $ |
| 1 000 | 0,25693 $ | 256,93 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,21861 $ | 655,83 $ |
| 6 000 | 0,19930 $ | 1 195,80 $ |
| 9 000 | 0,18945 $ | 1 705,05 $ |
| 15 000 | 0,17839 $ | 2 675,85 $ |
| 21 000 | 0,17184 $ | 3 608,64 $ |
| 30 000 | 0,16547 $ | 4 964,10 $ |
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