Name: SSM6J771G,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J771GLFTR-ND
Price: 1.55 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SSM6J771G,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM6J771GLFTR-ND - Bande et bobine SSM6J771GLFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6J771GLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6J771G,LF
Description	MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 5 A (Ta) 1,2W (Ta) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM6J771G,LF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVI
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 8,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	31mohms à 3A, 8,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,2V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	9.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	870 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,2W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	6-UFBGA, WLCSP
Numéro de produit de base	SSM6J771