Name: SSM6J771G,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J771GLFTR-ND
Price: 1.72 CAD
Availability: InStock

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SSM6J771G,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM6J771GLFTR-ND - Bande et bobine SSM6J771GLFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM6J771GLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM6J771G,LF
Description	MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 5 A (Ta) 1,2W (Ta) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM6J771G,LF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 31mohms à 3A, 8,5V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max.) à Id 1,2V à 1mA
Série U-MOSVI	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 9.8 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±12V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 870 pF @ 10 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 1,2W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5 A (Ta)	Boîtier 6-UFBGA, WLCSP
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 8,5V	Numéro de produit de base SSM6J771