Name: SSM3J140TU,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3J140TULXHFTR-ND
Price: 1.21 CAD
Availability: OutOfStock

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SSM3J140TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Prix unitaire : 1,09000 $

Fiche technique

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SSM3J140TU,LXHF
Numéro de produit DigiKey	264-SSM3J140TULXHFTR-ND - Bande et bobine 264-SSM3J140TULXHFCT-ND - Bande coupée (CT) 264-SSM3J140TULXHFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM3J140TU,LXHF
Description	SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 4,4 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface UFM
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVI
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,4 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	25,8mohms à 4A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	24.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	+6V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1800 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	UFM
Boîtier	3-SMD, broches plates