Canal P 20 V 1,8 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface UFM
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SSM3J114TU(TE85L)

Numéro de produit DigiKey
SSM3J114TU(TE85L)TR-ND - Bande et bobine
SSM3J114TU(TE85L)CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SSM3J114TU(TE85L)
Description
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Référence client
Description détaillée
Canal P 20 V 1,8 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface UFM
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SSM3J114TU(TE85L) Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
1V à 1mA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
7.7 nC @ 4 V
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Vgs (max.)
±8V
Statut du composant
Obsolète
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
331 pF @ 10 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Technologies
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
UFM
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
1,5V, 4V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
149mohms à 600mA, 4V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (1)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
SSM3J135TU,LFToshiba Semiconductor and Storage3 465SSM3J135TULFCT-ND0,78000 $Similaire
En stock: 93
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Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
11,00000 $1,00 $
100,62000 $6,20 $