RN1963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage | Produits semi-conducteurs discrets

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RN1963(TE85L,F)
Numéro de produit DigiKey	RN1963(TE85LF)TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	RN1963(TE85L,F)
Description	TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices prépolarisés 2 NPN - Prépolarisé (double) 50V 100mA 250MHz 200mW Montage en surface US6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RN1963(TE85L,F) Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Matrices de transistors bipolaires, prépolarisés
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de transistor	2 NPN - Prépolarisé (double)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	100mA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	50V
Résistance - Base (R1)	22kohms
Résistance - Base d'émetteur (R2)	22kohms
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce	70 à 10mA, 5V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic	300mV à 250µA, 5mA
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	100 nA (ICBO)
Fréquence - Transition	250MHz
Puissance - Max.	200mW
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Boîtier fournisseur	US6
Numéro de produit de base	RN1963

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Quantité

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Bande et bobine