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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
RN1131MFV(TL3,T) | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | RN1131MFV(TL3T)CT-ND - Bande coupée (CT) |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | RN1131MFV(TL3,T) |
Description | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
Référence client | |
Description détaillée | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples prépolarisés NPN - Prépolarisé 50 V 100 mA 150 mW Montage en surface VESM |
Modèles EDA/CAO | RN1131MFV(TL3,T) Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 120 à 1mA, 5V |
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage | Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 300mV à 500µA, 5mA |
Conditionnement Bande coupée (CT) | Courant - Résiduel de collecteur (max.) 100 nA (ICBO) |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 150 mW |
Type de transistor NPN - Prépolarisé | Type de montage Montage en surface |
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 100 mA | Boîtier SOT-723 |
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 50 V | Boîtier fournisseur VESM |
Résistances incluses R1 uniquement | Numéro de produit de base |
Résistance - Base (R1) 100 kOhms |
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Documents et supports
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Ressources supplémentaires
En stock: 2 997
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT)
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 0,27000 $ | 0,27 $ |
| 10 | 0,16800 $ | 1,68 $ |
| 100 | 0,10370 $ | 10,37 $ |
| 500 | 0,07544 $ | 37,72 $ |
| 1 000 | 0,06625 $ | 66,25 $ |
| 2 000 | 0,05850 $ | 117,00 $ |
