
RN1106MFV,L3F | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | RN1106MFVL3FTR-ND - Bande et bobine RN1106MFVL3FCT-ND - Bande coupée (CT) RN1106MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | RN1106MFV,L3F |
Description | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 42 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples prépolarisés NPN - Prépolarisé 50 V 100 mA 150 mW Montage en surface VESM |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | RN1106MFV,L3F Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage | |
Série | - | |
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de transistor | NPN - Prépolarisé | |
Courant - Collecteur (Ic) (max.) | 100 mA | |
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) | 50 V | |
Résistances incluses | R1 et R2 | |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms | |
Résistance - Base d'émetteur (R2) | 47 kOhms | |
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce | 80 à 10mA, 5V | |
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic | 300mV à 500µA, 5mA | |
Courant - Résiduel de collecteur (max.) | 500nA | |
Puissance - Max. | 150 mW | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | SOT-723 | |
Boîtier fournisseur | VESM | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 0,22000 $ | 0,22 $ |
| 10 | 0,13400 $ | 1,34 $ |
| 100 | 0,08300 $ | 8,30 $ |
| 500 | 0,06006 $ | 30,03 $ |
| 1 000 | 0,05263 $ | 52,63 $ |
| 2 000 | 0,04634 $ | 92,68 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 8 000 | 0,03544 $ | 283,52 $ |
| 16 000 | 0,03178 $ | 508,48 $ |
| 24 000 | 0,02991 $ | 717,84 $ |
| 40 000 | 0,02780 $ | 1 112,00 $ |
| 56 000 | 0,02655 $ | 1 486,80 $ |
| 80 000 | 0,02534 $ | 2 027,20 $ |
| 200 000 | 0,02268 $ | 4 536,00 $ |
| 400 000 | 0,02103 $ | 8 412,00 $ |







