Name: STGSH50M120D
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STGSH50M120DTR-ND
Price: 31.88 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

STGSH50M120D
Numéro de produit DigiKey	497-STGSH50M120DTR-ND - Bande et bobine 497-STGSH50M120DCT-ND - Bande coupée (CT) 497-STGSH50M120DDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STGSH50M120D
Description	IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	IGBT Groupement Demi- pont 1200 V 69 A 536 W Montage en surface 9-ACEPACK SMIT
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	STGSH50M120D Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors IGBT Matrices IGBT	Courant - Résiduel de collecteur (max.) 25 µA
Fabricant STMicroelectronics	Capacité d'entrée (Cies) à Vce 3152 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Entrée Standard
Statut du composant Actif	Thermistance CTN Non
Configuration Demi- pont	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 1200 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 69 A	Boîtier 9-PowerSMD
Puissance - Max. 536 W	Boîtier fournisseur 9-ACEPACK SMIT
Vce(on) (max.) à Vge, Ic 2,3V à 15V, 50A